Deposition : 기판위에 물리적인 방법으로 반응물을 주입하여 박막을 증착시키는 공정 Deposition 공정은 물리적인 방법(PVD)과 화학적(CVD)인 반응으로 증착하는 방법이 있다. 여기선 PVD만을 다룰 것이다. Output parameters of deposition step coverage : 얼마나 균일하게 증착되었는지를 판단 uniformity : 웨이퍼의 수평면에서 증착된 층 두께의 일관성, 균일도 conformality : 웨이퍼의 수직 구조물에서 모든 표면(위, 아래, 옆면) 에서도 동일한 층 두께의 균일도 증착된 모든 층의 두께가 균일해야 좋다. ⦁ Film quality 증착된 박막의 품질 → Adhesion 접착 → Stress (stress engineering for m..

1.2 PN접합 다이오드 바이어스란? PN접합에 흐르는 전류를 조절하기 위해 DC전압을 인가하는 것 순방향 바이어스 : 애노드>캐소드, 내부 전위장벽을 낮춰 전류가 잘 흐르도록 역방향 바이어스 : 애노드 V_z ) 입력전압의 최솟값(V_s,min), 부하전류의 최댓값(I_l,max)에 대해 제너다이오드 전류(I_z)는 최소 항복전류(I_zk)보다 커야한다 입력전압의 최댓값 (V_s,max) , 부하전류의 최솟값 (I_l,min) 에 대해, 제너 다이오드 전류의 최대값 (I_z,max) 은 정격전류 (I_zm) 보다 작아야한다.

Introduction to Silicon Types of SiO2 Structures of Material (in case of cubic) Ion implantation 전도성(Conductivity) 절연체(Insulator): Valence Band가 차 있고, Band Gap이 넓다. 반도체(Semiconductor): Valence Band가 차 있고, Band Gap이 좁다. 전도체(Conductor): Free Carrier가 Conduction Band에 있다. 반도체 특성 조절 Conduction Band 내 Free Carrier 부족으로 전하를 전달한다. 불순물 도핑을 통해 Free Carrier 농도를 조절하고, 전도도를 조절한다. (Junction 생성) 실리콘(Si) 내 불순물..

Semiconductor process What is diffusion? : Diffusion is the net movement of anything (for example, atoms, ions, molecules, energy) generally from a region of higher concentration to a region of lower concentration 농도구배가 없다면 온도가 아무리 높아도 diffusion은 일어나지 않는다. Diffusion in semiconductor process - Si lattice에 impurity (B, P, As etc.,) IIP 후, annealing - Oxidation / Nitridation - Epitaxial growth / De..

Etch 공정 / Etching 공정 / E 공정 Dry etch vs Wet etch Plasma Dry etch Plasma generation Plasma generation conditions - Low pressure / density: 1mTorr ~ 10Torr (압력의 단위: Torr ) - High energy / temperature → High voltage: ~1kV Electrons from cathode accelerated in the electric field ionize gas molecules and provide the plasma-sustaining current : Energetic collisions create avalanche of ions and electro..

What is the CMP? :Wafer를 화학적 반응(Chemical)과 기계적 힘(Mechanical)을 이용하여 평탄하게(Planarization) 연마(Polishing)하는 반도체 공정 - Chemical Mechanical Planarization - Chemical Mechanical Polishing Why CMP? Depth of focus (DOF) margin 파장이 짧을 수록 마스크 레이어 미세패터닝이 가능하다. 하지만 웨이퍼 표면이 거칠면 난반사 때문에 미세패터닝이 불가능 해진다. 따라서 웨이퍼 표면을 평탕화 시켜야한다. Node separation Defect removal Composition of CMP CMP FEOL (Front End of Line) Metal X IL..

What is the Photolithography? 쉽게 반도체 wafer 표면에 빛, 마스크, 감광제를 사용하여 설계한 회로 패턴을 wafer 기판 위에 옮기는 Patterning 공정이다. Process overview Process details Optics - Ray Fermat’s principle (Principle of least time) : The path taken between two points by a ray of light is the path that can be traversed in the least time, not the least length. Law of Reflection / 반사의 법칙 매질1과 매질2의 경계면에서 반사된다. 들어오는 θ₁은 입사각, 반사되어 나..

① X-선 이해 X-선은 무엇인가? X-선은 전자기파이다. 파장(λ)이 약 10pm~10nm로 매우 짧은 전자기파이다. 파장이 짧을 수록 에너지가 높아지며 이것은 투과력이 높다는 것을 알 수 있다. 전자기파 에너지E는 플랑크상수h와 주파수f의 곱으로 나타낼 수 있다. [그림1] 단위는 R → 1㎤당 3.3x10^-10 C 전하를 만드는 X-선량 → 만들어지는 C의 값은 많이 생긴 편에 속한다. X-선은 어떻게 만들어지는가? : 광전효과 Electrons from the filament strike the target anode. : 필라멘트에서 나오는 전자들은 목표 양극을 타격한다. Producing characteristic radiation via the photoelectric effect. :광전..